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“OSG65R760DF 东微COOLMOS 半导体”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | 是 |
| 品牌： | 东微COOLMOS | 类型： | 恒流源 |
| 功率因数： | 1 | 寿命： | 2 |
| 输出电流： | 7A | 输出电压： | 650V |
| 输入电压： | 220V | 效率： | 90 |
| 质保： | 2年 | 安装位置： | 外置 |
| 电磁兼容： | 1 | 保护： | 过载保护 |
| 外形尺寸(L*W*H)： | 1 | 型号： | OSG65R760DF |
| 规格： | 原装正品 | 商标： | 上海东微 |
| 包装： | 2500 |
“OSG65R760DF 东微COOLMOS 半导体”详细介绍
超结MOSFET的特点
1. 极低的传导损耗
2. 极大的电流能力
3. 极低的栅极电荷Qg
4. 低的开启电压
5. 极快的开关速度
6. 出色的UIS能力
7. 百分百的雪崩能量击穿测试
OSG65R760DF
Package:TO-252
P/N:OSG65R760DF
Status:Production
Cfg.:N
VDS(V):650
VGS(V):30
ID :7
Pd:37
Vth_typ(V):3
Ron_10V (Ω):0.76
Ron_4.5V (Ω):
Ron_2.5V (Ω):
Qg(nC):7.6
Qgs(nC):1.9
Qgd(nC):3.6
1. 极低的传导损耗
2. 极大的电流能力
3. 极低的栅极电荷Qg
4. 低的开启电压
5. 极快的开关速度
6. 出色的UIS能力
7. 百分百的雪崩能量击穿测试
OSG65R760DF
Package:TO-252
P/N:OSG65R760DF
Status:Production
Cfg.:N
VDS(V):650
VGS(V):30
ID :7
Pd:37
Vth_typ(V):3
Ron_10V (Ω):0.76
Ron_4.5V (Ω):
Ron_2.5V (Ω):
Qg(nC):7.6
Qgs(nC):1.9
Qgd(nC):3.6